WEKO3
アイテム
アニール技術を用いた高性能シリコン薄膜トランジスタに関する研究
https://doi.org/10.14988/00027521
https://doi.org/10.14988/0002752143d4b98c-ee33-42bb-9732-feac80b22879
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
全文/fulltext (44.4 MB)
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| Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2020-09-09 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | アニール技術を用いた高性能シリコン薄膜トランジスタに関する研究 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | アニール ギジュツ オ モチイタ コウセイノウ シリコン ハクマク トランジスタ 二カンスル ケンキュウ | |||||
| 言語 | ja-Kana | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題 | 薄膜トランジスタ, エキシマレーザアニール, 多結晶シリコン TFT, ELA, poly Si |
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| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_db06 | |||||
| 資源タイプ | doctoral thesis | |||||
| ID登録 | ||||||
| ID登録 | 10.14988/00027521 | |||||
| ID登録タイプ | JaLC | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | open access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||
| 著者 |
野口, 隆
× 野口, 隆 |
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| 著者所属 | ||||||
| 言語 | ja | |||||
| 値 | 理工学研究科 | |||||
| 著者所属（英） | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 値 | Graduate School of Science and Engineering | |||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | ポリSi薄膜トランジスタ（TFT）の高性能化について、理論的、技術的な観点から種々の問題点を導き、特にトラップ密度や粒径の大小がTFTの電気的特性に与える影響を詳細に解析し、イオン注入やその後のアニール技術などによって充分に実証を行ったものである。特にエキシマレーザアニール（ELA）を用いた、全工程が下地に影響を与えない低温プロセスは、LSIの微細化とガラス上素子特性の向上に資するものとして有益な知見と考えられる。 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| 関連サイト | ||||||
| 関連タイプ | isFormatOf | |||||
| 識別子タイプ | URI | |||||
| 関連識別子 | https://doors.doshisha.ac.jp/opac/opac_link/bibid/BB10019016/?lang=0 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| 関連名称 | 掲載刊行物所蔵情報へのリンク ／ Link to Contents | |||||
| 出版タイプ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
| 学位名 | ||||||
| 言語 | ja | |||||
| 学位名 | 博士(工学) | |||||
| 学位名 | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 学位名 | Doctor of Philosophy in Engineering | |||||
| 学位授与機関 | ||||||
| 学位授与機関識別子Scheme | kakenhi | |||||
| 学位授与機関識別子 | 34310 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| 学位授与機関名 | 同志社大学 | |||||
| 言語 | en | |||||
| 学位授与機関名 | Doshisha University | |||||
| 学位授与年月日 | ||||||
| 学位授与年月日 | 1992-02-28 | |||||
| 学位授与番号 | ||||||
| 学位授与番号 | 乙第96号 | |||||
